新一代高带宽内存HBM3标准发布：单颗MB64GB、带宽819GB/s

JEDEC组织今天年底发布了新一代高传输速率存储器HBM3的规范规范，编号JESD238。

HBM3规范继续在存储密度、传输速率、入口、安全性、能效等各个层面透过扩充换装，具体包括：

－ 传输数据率在HBM2基础上再次翻番，每个插头(pin)的传输速率为6.4Gbps，适切1024-bit位宽，单颗最高传输速率可达819GB/s。

如果使用四颗，总传输速率就是3.2TB/s，六颗则可达4.8TB/s。

－ 统一入口数从8个翻番到16个，再舍弃虚拟入口(pseudo channel)，单颗反对32入口。

－ 反对4/8/12-high TSV锗穿孔磁盘，期望会拓展到16-high——可以思考为4-16颗内部堆叠。

－ 每个存储层输出功率8/16/32Gb，单颗输出功率起步4GB(8Gb 4-high)、最大者输出功率64GB(32Gb 16-high)。

－ 反对的平台级RAS安全性，功能强大ECC校验纠错，反对实时错误报告与工作效率。

－ 提升能效，正接口使用0.4V低摆幅取样，试运行电压增高至1.1V。

NVIDIA、SK海力士、惠普公司、Synopsys等大企业都第一时间表达了对HBM3存储器的反对。

早在去年8月，SK海力士就提前发布了首批HBM3系列产品，单颗输出功率16/24GB，12-high堆叠，传输速率以前819GB/s，除此以外更是提升到了896GB/s。

SK海力士上半年的HBM3

HBM2e